采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：535W（Tc）
阈值电压：4.3V @ 20mA
栅极电荷：203 nC @ 20 V
输入电容：2890 pF @ 800 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28毫欧 @ 60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：5380 pF @ 25 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11.6 毫欧 @ 62A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：5380 pF @ 25 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11.6 毫欧 @ 62A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：5380 pF @ 25 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11.6 毫欧 @ 62A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
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功率：535W（Tc）
阈值电压：4.3V @ 20mA
栅极电荷：203 nC @ 20 V
输入电容：2890 pF @ 800 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28毫欧 @ 60A，20V
漏源电压：1200V
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栅极电荷：203 nC @ 20 V
输入电容：2890 pF @ 800 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28毫欧 @ 60A，20V
漏源电压：1200V
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栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：5380 pF @ 25 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11.6 毫欧 @ 62A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：535W（Tc）
阈值电压：4.3V @ 20mA
栅极电荷：203 nC @ 20 V
输入电容：2890 pF @ 800 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28毫欧 @ 60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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