销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:2V @ 1mA
栅极电荷:2.5 nC @ 10 V
输入电容:21.5 pF @ 25 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 欧姆 @ 170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5 pF @ 25 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 欧姆 @ 170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:150mW(Ta)
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:0.35 nC @ 4.5 V
输入电容:17 pF @ 10 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:3.9 欧姆 @ 100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:150mW(Ta)
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:0.35 nC @ 4.5 V
输入电容:17 pF @ 10 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:3.9 欧姆 @ 100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS169H6327XTSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:1.8V @ 50µA
栅极电荷:2.8 nC @ 7 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:68 pF @ 25 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 欧姆 @ 170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:2V @ 1mA
栅极电荷:2.5 nC @ 10 V
输入电容:21.5 pF @ 25 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 欧姆 @ 170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.8W(Ta)
阈值电压:2.3V @ 94µA
栅极电荷:5.9 nC @ 10 V
输入电容:154 pF @ 25 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:25 欧姆 @ 170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:21.5 pF @ 25 V
导通电阻:6 欧姆 @ 170mA,10V
栅极电荷:2.5 nC @ 10 V
功率:360mW(Ta)
阈值电压:2V @ 1mA
连续漏极电流:170mA(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:100V
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: