采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：291W（Tc）
阈值电压：4.3V @ 8mA
栅极电荷：105 nC @ 18 V
输入电容：1870 pF @ 325 V
连续漏极电流：66A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：291W（Tc）
阈值电压：4.3V @ 8mA
栅极电荷：105 nC @ 18 V
输入电容：1870 pF @ 325 V
连续漏极电流：66A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：323W（Tc）
阈值电压：2.6V @ 2mA
栅极电荷：137 nC @ 20 V
输入电容：1990 pF @ 1000 V
连续漏极电流：66A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：306W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：37.8 nC @ 15 V
输入电容：1400 pF @ 400 V
连续漏极电流：66A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：306W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：37.8 nC @ 15 V
输入电容：1400 pF @ 400 V
连续漏极电流：66A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：37.8 nC @ 15 V
功率：306W（Tc）
输入电容：1400 pF @ 400 V
导通电阻：29 毫欧 @ 40A，12V
漏源电压：750V
连续漏极电流：66A（Tc）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
