采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
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