品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2V @ 10µA
输入电容:47 pF @ 30 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:680 毫欧 @ 400mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2V @ 10µA
输入电容:47 pF @ 30 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:680 毫欧 @ 400mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:4.8 nC @ 10 V
输入电容:447 pF @ 15 V
连续漏极电流:1.9A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:70 毫欧 @ 1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.1V @ 250µA
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:310mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:4.8 nC @ 10 V
输入电容:447 pF @ 15 V
连续漏极电流:1.9A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:70 毫欧 @ 1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.1V @ 250µA
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:310mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:50 pF @ 25 V
功率:350mW(Ta)
导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:310mA(Ta)
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V @ 250µA
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: