品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
输入电容:1800 pF @ 50 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
输入电容:1800 pF @ 50 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:4V @ 360µA
栅极电荷:20 nC @ 10 V
输入电容:590 pF @ 300 V
连续漏极电流:9.7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:380 毫欧 @ 4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:4.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.5 欧姆 @ 2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:4.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.5 欧姆 @ 2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:35 nC @ 10 V
输入电容:1440 pF @ 100 V
连续漏极电流:20A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:180 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12NF06T4
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: