品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:231W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:151 nC @ 10 V
输入电容:9815 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:231W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:151 nC @ 10 V
输入电容:9815 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA170N06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:290 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9350 pF @ 25 V
连续漏极电流:170A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.6 毫欧 @ 85A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),37W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF76423P3
功率:85W(Tc)
栅极电荷:34 nC @ 10 V
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:1060 pF @ 25 V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:35A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
漏源电压:60V
栅极电荷:29 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存: