品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1306,"22+":1249}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1306,"22+":1249}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
输入电容:4550 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.9 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1306,"22+":1249}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
输入电容:3215 pF @ 30 V
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
输入电容:3215 pF @ 30 V
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
输入电容:3215 pF @ 30 V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5.7W(Ta),31.25W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:17 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.1A(Ta),21.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:31 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 10 V
输入电容:665 pF @ 15 V
连续漏极电流:6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:58 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5.7W(Ta),31.25W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:17 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.1A(Ta),21.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:31 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: