品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW(Ta)
阈值电压:2.4V @ 1mA
输入电容:75 pF @ 18 V
连续漏极电流:450mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306 pF @ 30 V
功率:2.7W(Ta),139W(Tc)
栅极电荷:130.6 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:215A(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306 pF @ 30 V
功率:2.7W(Ta),139W(Tc)
栅极电荷:130.6 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:215A(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
功率:600mW(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
阈值电压:3V @ 250µA
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: