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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.5W（Ta），19W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：13.5 nC @ 10 V
输入电容：540 pF @ 30 V
连续漏极电流：10A（Ta），12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：18.5 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.5W（Ta），19W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：13.5 nC @ 10 V
输入电容：540 pF @ 30 V
连续漏极电流：10A（Ta），12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：18.5 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），43W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
输入电容：1185 pF @ 30 V
连续漏极电流：15.2A（Ta），52.1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.8 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），43W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
输入电容：1185 pF @ 30 V
连续漏极电流：15.2A（Ta），52.1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.8 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.1W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：8.4 nC @ 5 V
输入电容：400 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5.7W（Ta），31.25W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
输入电容：670 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.1A（Ta），21.4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
输入电容：50 pF @ 25 V
连续漏极电流：115mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.2W（Ta），19.8W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 10 V
输入电容：665 pF @ 15 V
连续漏极电流：6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：58 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5.7W（Ta），31.25W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
输入电容：670 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.1A（Ta），21.4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 10 V
输入电容：640 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF-BE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.1W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ186DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.5 毫欧 @ 15A，10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：5W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：3.6V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1710 pF @ 30 V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：23A（Ta），79.4A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2334
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：100A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：104W（Tc）
输入电容：5130 pF @ 30 V
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：8.4 nC @ 5 V
输入电容：400 pF @ 25 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：2W（Ta），3.1W（Tc）
连续漏极电流：2.7A（Tc）
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，5V
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：50 pF @ 25 V
阈值电压：2.5V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA（Ta）
类型：N 通道
功率：200mW（Ta）
导通电阻：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：2334
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：100A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：104W（Tc）
输入电容：5130 pF @ 30 V
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.5 毫欧 @ 15A，10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：60A（Tc）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：57W（Tc）
阈值电压：3.6V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1710 pF @ 30 V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
