品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3375-TL-W
功率:800mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:295mΩ@10V,800mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3012-3/TR
功率:800mW
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:1.55nC@10V
输入电容:654pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:56pF@20V
导通电阻:58mΩ@10V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3375-TL-W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:295mΩ@10V,800mA
漏源电压:30V
功率:800mW
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3012-3/TR
漏源电压:30V
功率:800mW
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:1.55nC@10V
输入电容:654pF@20V
连续漏极电流:2.9A
反向传输电容:56pF@20V
类型:1个P沟道
导通电阻:58mΩ@10V,3.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3012-3/TR
功率:800mW
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:1.55nC@10V
输入电容:654pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:56pF@20V
导通电阻:58mΩ@10V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ2303-ES
功率:800mW
阈值电压:1.75V
栅极电荷:1.6nC
输入电容:95pF
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:13pF
导通电阻:155mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ2303-ES
功率:800mW
阈值电压:1.75V
栅极电荷:1.6nC
输入电容:95pF
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:13pF
导通电阻:155mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ2303-ES
功率:800mW
阈值电压:1.75V
栅极电荷:1.6nC
输入电容:95pF
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:13pF
导通电阻:155mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ2303-ES
功率:800mW
阈值电压:1.75V
栅极电荷:1.6nC
输入电容:95pF
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:13pF
导通电阻:155mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ2303-ES
功率:800mW
阈值电压:1.75V
栅极电荷:1.6nC
输入电容:95pF
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:13pF
导通电阻:155mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: