品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2305DSLT1G
功率:1.1W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@4.5V,3.5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2305DSLT1G
功率:1.1W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@4.5V,3.5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2305DSLT1G
功率:1.1W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@4.5V,3.5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2305DSLT1G
功率:1.1W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@4.5V,3.5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
输入电容:2.712nF@10V
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@250μA
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:1个P沟道
导通电阻:950mΩ@500mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@250μA
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:1个P沟道
导通电阻:950mΩ@500mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:660mW
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:9.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:16mΩ@4.5V,8.2A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: