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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：24.5nC@10V
输入电容：1.253nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：158pF@15V
导通电阻：16mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：48mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：48mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：48mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：24.5nC@10V
输入电容：1.253nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：158pF@15V
导通电阻：16mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@2.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@4.5V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3523
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：23mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ9435-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：30.7nC@10V
输入电容：1.802nF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@2.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@4.5V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：60.4nC@10V
输入电容：2.748nF@20V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3523
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：23mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：30.7nC@10V
输入电容：1.802nF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@2.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@4.5V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
