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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：4.234nF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6679AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W€2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.97nF@15V
连续漏极电流：11.5A€20A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：7.72nF@15V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：7.72nF@15V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：7.72nF@15V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：7.72nF@15V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：7.72nF@15V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
