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    栅极电荷
    连续漏极电流
    类型: 1个P沟道
    栅极电荷: 18nC@4.5V
    连续漏极电流: 4.1A
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    输入电容:1.1nF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5V,5.3A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    输入电容:1.1nF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5V,5.3A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    输入电容:1.1nF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5V,5.3A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    输入电容:1.1nF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5V,5.3A

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