采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
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漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
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ECCN：EAR99
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栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：FDME905PT
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栅极电荷：20nC@4.5V
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输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
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漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
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规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
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栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
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