采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN336P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN336P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
