品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1920
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11A
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5272}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5272}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: