品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP84K-AQ
功率:250mW
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP84K-AQ
功率:250mW
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:350pC@5V
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:180mA
栅极电荷:2.5nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:79pF@25V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:180mA
栅极电荷:2.5nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:79pF@25V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:350pC@5V
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:350pC@5V
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: