采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.2nC@4V
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.2nC@4V
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：43pF@10V
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：1.2nC@4V
漏源电压：20V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
