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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G29
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：1.151nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03FRATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025P02FRATL
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3415ELT1G
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@1.8V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025P02FRATL
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2301-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84XHZGG2CR
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
输入电容：4.7nF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
