采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP162A12A6PR
功率：2W
阈值电压：1.2V@1mA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@4.5V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070P05HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS090P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS090P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6963}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2716AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：7mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1nF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6963}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2716AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：7mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2305B-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@4V
连续漏极电流：5.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6963}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2716AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：7mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1nF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070P05HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.1A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070P05HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP162A12A6PR
功率：2W
阈值电压：1.2V@1mA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@4.5V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070P05HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS040P03FRATB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS090P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
