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    类型: 1个P沟道
    功率: 1.5W
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    输入电容:1.03nF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数1500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订数7500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订数7500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    输入电容:1.03nF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:40V

    功率:1.5W

    连续漏极电流:8.7A

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:55nC@5V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数5000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@10V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,11.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@10V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,11.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@10V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,11.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@10V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,11.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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