品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.03nF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.03nF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: