品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:67mΩ@10V,4.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,1.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:67mΩ@10V,4.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9640GPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:67mΩ@10V,4.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:67mΩ@10V,4.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:67mΩ@10V,4.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:67mΩ@10V,4.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI9640GPBF
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
功率:40W
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:67mΩ@10V,4.4A
阈值电压:4V@250μA
功率:40W
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: