采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407C
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.5mΩ@10V，14A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407C
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.5mΩ@10V，14A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4407SC
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4435T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.539nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：151pF@15V
导通电阻：19mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7416TRPBF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：9.5mΩ@10V.12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：63pF
导通电阻：35mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6P06
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407C
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.5mΩ@10V，14A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
