采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7LW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：380mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7LW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：380mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG30P03-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.05nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7LW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：380mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7LW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：380mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG30P03-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.05nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP3401-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：954pF@0V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP3401-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：954pF@0V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1200，"21+"：1650，"22+"：2489，"24+"：549}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
