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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS040P03FRATB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RRS040P03FRATB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
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输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
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输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RRS040P03FRATB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
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输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RRS040P03FRATB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
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输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS040P03FRATB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
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输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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