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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@10V
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，600mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29.6nC@10V
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15.8nC@10V
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL9P3LLH6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.615nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7416TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
类型：1个P沟道
栅极电荷：29.6nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：70nC@10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
类型：1个P沟道
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
