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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：317mW€8.33W
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15.8nC@10V
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：3.2A
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
功率：1.2W
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
类型：1个P沟道
输入电容：850pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：317mW€8.33W
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
