品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3712G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:2.13nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:227pF@25V
导通电阻:9.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":650}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJJ0621DPP-E0#T2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1.55nF@10V
连续漏极电流:25A
类型:1个P沟道
导通电阻:56mΩ@12.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3712J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:2.13nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:227pF@25V
导通电阻:9.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
连续漏极电流:20A
导通电阻:12mΩ@10V
功率:35W
漏源电压:30V
反向传输电容:207pF@15V
输入电容:1.805nF@15V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:35nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
连续漏极电流:20A
导通电阻:12mΩ@10V
功率:35W
漏源电压:30V
反向传输电容:207pF@15V
输入电容:1.805nF@15V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:35nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3712G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:2.13nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:227pF@25V
导通电阻:9.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3712J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:2.13nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:227pF@25V
导通电阻:9.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3712J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:2.13nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:227pF@25V
导通电阻:9.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: