采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：3.5nC@10V
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，610mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：3.5nC@10V
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：3.5nC@10V
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：3.5nC@10V
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：3.5nC@10V
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@10V
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，600mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：3.5nC@10V
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
输入电容：100pF@10V
栅极电荷：1.4nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
输入电容：100pF@10V
栅极电荷：1.4nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1Ω@10V，600mA
功率：625mW
栅极电荷：3.5nC@10V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：600mA
漏源电压：100V
输入电容：141pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，610mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：160mA
类型：1个P沟道
导通电阻：14Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：1.8nC@5V
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：1Ω@600mA，10V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.8nC@5V
功率：625mW
类型：1个P沟道
连续漏极电流：600mA
漏源电压：100V
输入电容：141pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
