采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB720P15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W€3.8W
阈值电压：2V@5.55mA
栅极电荷：224nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@75V
连续漏极电流：4.6A€41A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB720P15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W€3.8W
阈值电压：2V@5.55mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@75V
连续漏极电流：4.6A€41A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB720P15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W€3.8W
阈值电压：2V@5.55mA
栅极电荷：224nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11nF@75V
连续漏极电流：4.6A€41A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：6.46A
类型：1个P沟道
导通电阻：155mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：6.46A
类型：1个P沟道
导通电阻：155mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.75A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD42DP15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.1nF@75V
连续漏极电流：1.7A€9A
类型：1个P沟道
导通电阻：420mΩ@8.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€660mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.039nF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD42DP15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.1nF@75V
连续漏极电流：1.7A€9A
类型：1个P沟道
导通电阻：420mΩ@8.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.75A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD42DP15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.1nF@75V
连续漏极电流：1.7A€9A
类型：1个P沟道
导通电阻：420mΩ@8.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.985nF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：1个P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD42DP15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.1nF@75V
连续漏极电流：1.7A€9A
类型：1个P沟道
导通电阻：420mΩ@8.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD42DP15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.1nF@75V
连续漏极电流：1.7A€9A
类型：1个P沟道
导通电阻：420mΩ@8.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：6.46A
类型：1个P沟道
导通电阻：155mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€660mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.039nF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€660mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.039nF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：6.46A
类型：1个P沟道
导通电阻：155mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.75A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
