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销售单位：个
规格型号(MPN)：RGS30TSX2HRC11
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，15A
关断延迟时间：70ns
关断损耗：0.6mJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：41nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.74mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
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栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，15A
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栅极电荷：41nC
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集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：41nC
类型：FS(场截止)
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB25N120FL2WG
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：2.4V@15V，25A
关断延迟时间：179ns
反向恢复时间：154ns
关断损耗：0.6mJ
开启延迟时间：87ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：178nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：1.95mJ
工作温度：-55℃~+175℃
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集电极截止电流(Ices)：1.2kV
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栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，15A
关断延迟时间：70ns
关断损耗：0.6mJ
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集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：41nC
类型：FS(场截止)
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