品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW75H65DFB2-4
栅极阈值电压(Vge(th)):2V@15V,75A
关断延迟时间:121ns
反向恢复时间:88ns
关断损耗:0.766mJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:207nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:0.992mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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栅极电荷:207nC
类型:FS(场截止)
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栅极电荷:207nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:0.992mJ
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类型:FS(场截止)
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栅极电荷:207nC
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栅极电荷:207nC
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栅极电荷:207nC
类型:FS(场截止)
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