销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB30H65DFB2

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB30H65DFB2

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：STGB30H65DFB2

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：STGB30H65DFB2

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

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栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

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集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

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关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1