品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:383pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL215CH6327
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7μA
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:140mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):6706A
功率:2W
阈值电压:1.6V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2792AGR-E1-AT
功率:2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.2nF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M6HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@5V€3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V€230pF@10V
连续漏极电流:5A€3.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:51mΩ@5A,10V€90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M21HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:21.6nC@5V€28nC@5V
输入电容:2.4nF@10V€1.4nF@10V
连续漏极电流:6A€4A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V€25mΩ@6A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL215CH6327
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7μA
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:140mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G180C06Y
阈值电压:4V€2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:60A€50A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL215CH6327
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7μA
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:140mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8MB5TCR
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@10V€17.2nC@10V
输入电容:150pF@20V€920pF@20V
连续漏极电流:4.5A€5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:44mΩ@4.5A,10V€41mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M31HZGTB
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7nC@5V€40nC@10V
输入电容:500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:70mΩ@4.5A,10V€65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G180C06Y
阈值电压:4V€2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:60A€50A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M21HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:21.6nC@5V€28nC@5V
输入电容:2.4nF@10V€1.4nF@10V
连续漏极电流:6A€4A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V€25mΩ@6A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8MB5TCR
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@10V€17.2nC@10V
输入电容:150pF@20V€920pF@20V
连续漏极电流:4.5A€5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:44mΩ@4.5A,10V€41mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8MB5TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.6nC@20V€51nC@20V
输入电容:2.87nF@20V€530pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:16.8mΩ@8.5A,10V€19.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: