采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：620pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：620pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDB-7
阈值电压：900mV@250μA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
导通电阻：70mΩ@4.5V，2.8A
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：620pC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
输入电容：59.76pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：620pC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
连续漏极电流：1.03A
类型：2个P沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
输入电容：59.76pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
