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    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF030P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF030P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C050APTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZR020P01TL 起订27个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZR020P01TL 起订27个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR020P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RW1A025APT2CR 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW1A025APT2CR 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1A025APT2CR

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J412TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J412TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J412TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES6U1T2R

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH201,215 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH201,215 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH201,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@48V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.5Ω@160mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订44个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订44个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@6V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL045P01TCR 起订22个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL045P01TCR 起订22个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL045P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL 起订224个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL 起订224个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR025P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAF040P01TCL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订16个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订16个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF020P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订17个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订17个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAF040P01TCL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR 起订155个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR 起订155个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZQ050P01TR

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR040P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1602

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAF040P01TCL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF020P01TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF020P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J145TU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J145TU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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