品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C100BCTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:23.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R712MD,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:182nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10900pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J214FE(TE85L,F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:7.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3C150BCTB
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF6C055BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:15.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:25.8mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF6C055BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:15.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:25.8mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q
工作温度:150℃
功率:42W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C100BCTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:23.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3C150BCTB
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP152A12C0MR-G
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J332R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J332R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: