品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC94051YM4-TR
工作温度:-40℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@5.5V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7425TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7980pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2180pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.7mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2012SN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178.5pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LDMQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7425TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:130nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7980pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25481F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.913nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:189pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:236pF@6V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS6802TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1079pF@10V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTRV4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: