品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":78000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65XPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:618pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMS5P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@16V
连续漏极电流:3.95A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2215L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2225LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPAR
工作温度:150℃
功率:510mW€4.15W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2225L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100XPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:463mW€1.9W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:128mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":34557}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN27XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPEAH
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2170U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02LT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2225L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:5.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: