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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:20.5A€27.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 SSF8309S 起订3000个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 SSF8309S 起订3000个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSF8309S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J353F,LF 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J353F,LF 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J353F,LF

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:159pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L04ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L04ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21311C 起订19个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21311C 起订19个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.7mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J507NU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J507NU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21319C 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21319C 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21319C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2620pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1837}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2620pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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