品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPA2R
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:679pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3401LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1326pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28XPEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€6.5W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: