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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：14380，"10+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS1135PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB47XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：14380，"10+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS1135PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB47XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB47XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB47XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS1135PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
输入电容：1290pF@6V
漏源电压：12V
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：14380，"10+"：3000}
规格型号(MPN)：NTGS1135PT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
功率：970mW
导通电阻：31mΩ@4.6A，4.5V
输入电容：2200pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
输入电容：1290pF@6V
漏源电压：12V
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB47XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：586}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME910PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
