品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":28334,"14+":39000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A39PZCTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
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输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A39PZCTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":142793,"18+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A39PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: