首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    行业应用
    包装方式
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    类型: P沟道
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 8nC@4.5V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订49个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订49个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订50个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订50个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-C-TL-E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-C-TL-E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":700,"15+":220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1341-C-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W€15W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订13个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订13个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订14个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订14个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订64个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订64个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧