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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：563，"23+"：593}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：10000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：10000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP304-TL-H
工作温度：150℃
功率：90W
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8650pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP304-TL-H
工作温度：150℃
功率：90W
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：10000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
