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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P045ATTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@50V
连续漏极电流：4.5A€14.5A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
