销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1562,"9999":999}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO303SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@25V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@9.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1562,"9999":999}
规格型号(MPN):BSO303SPHXUMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.2A
阈值电压:2V@100µA
功率:1.56W
输入电容:2330pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@9.1A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@20A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
漏源电压:60V
输入电容:3600pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W€60W
栅极电荷:54nC@10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@20A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
漏源电压:60V
输入电容:3600pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W€60W
栅极电荷:54nC@10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@20A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
漏源电压:60V
输入电容:3600pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W€60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: